WSA201 时间：2025/8/10 14:45:44 阅读：25

WSA201是一款由日本东芝公司（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等电力电子设备中。该器件采用了先进的工艺技术，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，能够在高频率下稳定工作。WSA201通常采用SOP（小外形封装）或类似的表面贴装封装形式，便于在紧凑型电子设备中使用。该MOSFET具备良好的热稳定性和过载能力，适用于多种高效率电源管理系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大漏极电流（ID）：2.7A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.13Ω（典型值，VGS=4.5V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：0.9V ~ 2.5V
　　最大功耗（PD）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8或类似表面贴装封装

特性

WSA201 MOSFET具有多项优异的电气和热性能，适合用于中低功率应用。其低导通电阻特性可以显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可在2.5V至4.5V之间工作，适用于多种控制电路的直接驱动。此外，WSA201具有快速的开关响应时间，能够有效减少开关过程中的能量损耗，提升整体系统的动态响应能力。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。其封装设计优化了散热性能，确保在高电流条件下仍能维持较低的温升。WSA201的结构设计使其在高温环境下具有较强的耐受能力，从而提高设备的可靠性和寿命。
　　此外，WSA201具有较低的输入电容和输出电容，有助于减少高频开关过程中的寄生效应，提升开关速度和系统稳定性。这些特性使其非常适合用于便携式电子产品、电池管理系统、LED驱动器和小型电源模块等应用场合。

应用

WSA201 MOSFET广泛应用于各类中低功率电源管理系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动电路、LED照明驱动器、电池充电管理电路以及便携式电子设备中的电源开关。其低导通电阻和高效率特性使其在节能型电子产品设计中具有重要地位。此外，WSA201也常用于通信设备、工业控制设备和消费类电子产品中的功率开关和电源管理模块。