WS57C43C-35DMB是一款高速静态随机存取存储器(SRAM),设计用于高性能计算、网络设备以及嵌入式系统。这款SRAM属于异步类型,工作电压通常为3.3V,支持低功耗操作,并具有高速访问时间,适用于需要快速数据存取的应用场景。该器件采用CMOS技术制造,具有较高的可靠性和稳定性。
类型:异步SRAM
容量:256K x 16
电压:3.3V
访问时间:35ns
封装类型:TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
功耗:低功耗模式支持
接口类型:并行
WS57C43C-35DMB SRAM具备出色的性能和稳定性,适用于对数据访问速度要求较高的应用。其高速访问时间为35ns,能够满足高速缓存、数据缓冲和实时处理的需求。该器件采用CMOS技术,具有低功耗的特点,并支持多种低功耗模式,有助于延长电池供电设备的使用寿命。
此外,该SRAM提供256K x 16的存储容量,适用于多种嵌入式系统和网络设备。其TSOP封装设计有利于节省空间,并确保在高密度PCB布局中的稳定性。该芯片符合工业级温度规范,可在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定运行,适合各种恶劣环境条件下的应用。
该SRAM还具有较强的抗干扰能力和数据保持能力,在各种工作条件下均可保持数据的完整性和稳定性。其并行接口支持高速数据传输,并可与多种处理器和控制器兼容,便于系统集成和扩展。
该SRAM通常用于高速缓存、图形处理器、通信设备、工业控制设备以及嵌入式系统中的数据存储和临时数据缓冲。
CY7C1380D-35DMB, IDT71V43S16BPC35BF, IS61LV25616-35B