类型：异步SRAM
　　容量：4Mbit（512K x 8）
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：45ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：54-TSOP
　　最大工作频率：约22MHz（由访问时间决定）
　　数据保持电压：1.0V（最小）
　　功耗（典型值）：待机模式下低至10mA，工作模式下约120mA

WS57C43B-45T 具有高速存取能力，访问时间仅为45ns，能够满足高性能系统对数据访问速度的要求。其工作电压范围为2.3V至3.6V，使其适用于多种电源环境，并具有良好的电压适应性。该芯片支持低功耗待机模式，在待机状态下电流消耗可降至10mA以下，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
　　该SRAM芯片采用CMOS工艺制造，具有较高的抗干扰能力和稳定性，适用于工业和汽车级环境。其54引脚TSOP封装形式不仅节省空间，还便于PCB布局和自动化生产。此外，该器件支持异步操作，不需要外部时钟信号，简化了系统设计并降低了时序控制的复杂度。
　　WS57C43B-45T 还具备良好的数据保持能力，在电源电压降至1.0V时仍能保持存储数据不丢失，非常适合需要断电数据保护的应用场景。其宽温工作范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于各种严苛环境。

WS57C43B-45T 主要应用于需要高速缓存或临时数据存储的嵌入式系统中，如工业控制设备、网络路由器和交换机、通信模块、汽车电子控制系统（如ECU、车载信息娱乐系统）等。在消费类电子产品中，该芯片可用于数码相机、打印机、智能家电等设备的数据缓冲和临时存储。由于其低功耗和高稳定性，该芯片也适用于手持设备、医疗仪器和测试测量设备等对可靠性要求较高的应用场景。

ISSI IS61LV5128ALB45B、Microchip 23LC512-I/P、Cypress CY62148E