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WS57C291B-55T 发布时间 时间:2025/8/21 0:22:06 查看 阅读:5

WS57C291B-55T 是一款由 Winbond(华邦电子)生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款SRAM芯片采用先进的CMOS工艺制造,提供高速数据存储和访问能力,适用于需要高性能和低功耗的系统设计。WS57C291B-55T 通常用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块以及各种需要高速缓存的电子设备中。

参数

容量:256Kbit
  组织结构:32K x 8
  工作电压:3.3V 或 5V(视具体型号而定)
  访问时间:55ns
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:TSOP
  引脚数:48

特性

WS57C291B-55T SRAM 芯片具有多项关键特性,使其适用于高性能数据存储和缓存应用。其高速访问时间为55纳秒,确保了快速的数据读写操作,适合用于需要实时响应的系统中。该芯片采用CMOS技术,具有低功耗特性,在待机模式下功耗极低,适合电池供电或对功耗敏感的应用。
  此外,该SRAM芯片的3.3V或5V电源供应兼容性使其能够适应不同系统设计的需求,提高了灵活性。其TSOP封装形式有助于减少封装尺寸,便于在紧凑型电路板中布局。WS57C291B-55T 还具有良好的抗干扰能力和稳定性,适用于工业控制、网络设备和通信模块等严苛环境下的应用。
  在设计方面,该芯片支持异步操作,无需时钟信号控制,简化了接口设计并降低了系统复杂性。其32K x 8的组织结构允许按字节访问,提高了数据管理的灵活性。该芯片还具备数据保持能力,在电源稳定的情况下可长时间保存数据,适用于需要非易失性缓存的应用场景。

应用

WS57C291B-55T 主要应用于需要高速缓存和快速数据访问的电子系统。常见应用包括工业控制系统、嵌入式设备、通信模块、网络路由器和交换机、测试仪器、图形加速器以及需要高速临时数据存储的设备。由于其低功耗和高稳定性,该芯片也广泛用于便携式电子产品和工业自动化设备中。

替代型号

ISSI IS62C256AL-55TLI、Cypress CY62257EWVX、Microchip 23K256T-IPT

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