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WS57C010F-55DMB 发布时间 时间:2025/8/21 4:23:12 查看 阅读:8

WS57C010F-55DMB 是由 Winbond 公司生产的一款高性能、低功耗的 SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该芯片广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的电子系统中,如网络设备、通信设备、工业控制系统以及嵌入式系统等。WS57C010F-55DMB 是一款异步SRAM,具有1Mbit的存储容量,组织方式为128K x 8位。这款芯片采用标准的CMOS工艺制造,具备高速访问时间和低功耗的特点,适用于对性能和功耗都有较高要求的应用场景。

参数

容量:1 Mbit
  组织结构:128K x 8位
  电源电压:3.3V 或 5V(根据具体版本)
  访问时间:55ns(最大)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  封装引脚数:54-pin
  功耗:典型值为100mA(待机模式下低至10mA)
  接口类型:并行异步接口
  时序控制:支持片选(CE)、输出使能(OE)、写使能(WE)等控制信号
  封装尺寸:18mm x 20mm(典型TSOP封装)

特性

WS57C010F-55DMB 是一款高性能异步SRAM,具备高速访问能力和低功耗特性,适用于多种嵌入式和工业应用。该芯片的访问时间为55ns,能够在高速数据处理中提供稳定的性能。其CMOS制造工艺不仅降低了静态功耗,还提高了抗干扰能力,使得芯片在复杂环境中仍能保持稳定运行。芯片支持多种控制信号,包括片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),便于与主控芯片进行通信。此外,WS57C010F-55DMB 支持低功耗待机模式,在不使用时可以显著降低功耗,延长系统运行时间。
  该芯片的电源电压支持3.3V和5V两种版本,兼容不同系统的电源设计需求,增强了其应用的灵活性。其TSOP封装形式不仅节省空间,还便于表面贴装工艺(SMT)的实施,提高了PCB布局的效率。WS57C010F-55DMB 的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境,确保在各种严苛条件下依然可靠运行。
  在功能上,该芯片具备非易失性数据存储能力,只要电源持续供电,数据即可保持不变,适用于需要频繁读写和临时数据缓存的应用场景。其并行异步接口设计允许与多种处理器、FPGA或ASIC直接连接,简化了系统设计并提高了数据传输效率。

应用

WS57C010F-55DMB 广泛应用于需要高速、低功耗存储解决方案的电子设备中。常见的应用包括网络路由器、交换机、工业控制器、通信模块、嵌入式系统、测试设备以及图像处理模块等。由于其高速访问时间,该芯片特别适合用于缓存、帧缓冲、数据缓冲区、临时存储器以及高速数据采集系统。此外,由于其低功耗特性和宽温工作范围,WS57C010F-55DMB 也常用于户外设备、车载系统和工业自动化系统中。

替代型号

IS61LV1024-55B4BIF、CY62148EVLL-55BZE2、IDT71V128SA55B、AS6C1008-55PCN、MCM62V1008A55B4B99

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