时间：2025/6/10 18:46:25
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WS4.5DPF-BH 是一款高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），主要应用于高功率、高频率的开关电路中。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于各种工业及消费电子领域。
型号：WS4.5DPF-BH
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压（Vds）：450V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：4.5A
导通电阻（Rds(on)）：750mΩ（典型值，@Vgs=10V）
总功耗（Ptot）：95W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
WS4.5DPF-BH 的核心优势在于其优异的电气性能与稳定性。首先，它具有较低的导通电阻，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其次，该器件支持高达 450V 的漏源电压，确保在高压环境下仍能稳定运行。
此外，WS4.5DPF-BH 具备快速开关能力，非常适合高频应用场合。其封装形式为 TO-220，便于散热设计，并且易于集成到各种电路板上。
由于采用了优化的内部结构设计，该 MOSFET 在动态和静态条件下均表现出卓越的性能，同时具备较强的抗干扰能力，能够在恶劣的工作环境中保持可靠性。
WS4.5DPF-BH 广泛应用于多种高功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、DC-DC 转换器以及 UPS 系统等。在这些应用中，该器件可以作为高效的开关元件使用，实现对电流的精确控制。
此外，WS4.5DPF-BH 还常用于保护电路设计中，例如过流保护、短路保护等功能模块，从而提升系统的整体安全性。
IRF840A
FQP16N50C
STP45NF06L
