时间：2025/9/15 15:30:14
阅读：7
WS2411-TR1是一款由Wing Shing Microelectronics（WSME）制造的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中，以其高效率和可靠性著称。该器件采用SOT-23封装，适用于表面贴装技术，适合空间受限的高密度设计。WS2411-TR1在导通电阻、开关速度和热性能方面表现出色，能够在高频率下工作，适用于多种功率电子应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：4.1A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：33mΩ（典型值，VGS=4.5V）
功耗（PD）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
WS2411-TR1具有多项出色的电气和热性能，适用于高效率功率转换应用。其低导通电阻（RDS(on)）可显著减少导通损耗，提高系统效率。该MOSFET支持高达4.1A的连续漏极电流，在低电压应用中表现出色，例如在便携式电子设备的电源管理系统中。此外，其小型SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的热管理能力，有助于在高负载条件下维持稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的3.3V和5V逻辑电平控制，便于与多种控制器或驱动器配合使用。由于其快速的开关性能，WS2411-TR1适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC降压或升压转换器。同时，该MOSFET具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在较为严苛的环境条件下可靠运行。
WS2411-TR1还具备高耐用性和良好的抗静电能力，适用于工业控制、消费类电子和汽车电子等应用领域。作为一款性价比高的功率MOSFET，它在小型化设计和高效能要求的场景中具有显著优势。
WS2411-TR1广泛应用于多个领域，包括电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电池充电电路、便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）的电源系统、LED驱动电路以及工业控制设备。由于其低导通电阻和高频开关特性，该器件特别适用于需要高效率和紧凑设计的场合。
Si2302DS-T1-GE3, AO3400A, FDN340P, BSS138K
