时间：2025/6/22 15:20:56
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WS15P4N3U是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动、负载开关等场景。它采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适合于要求高效能和高可靠性的电路设计。
该器件具有出色的电气性能，在各种工业和消费类电子应用中表现出色。其封装形式紧凑，便于在空间受限的场合使用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：15A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：25nC
总电容：860pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
WS15P4N3U的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻，有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，减少开关损耗，适用于高频应用。
3. 高度稳定的动态性能，确保在复杂工作条件下保持可靠性。
4. 小型化封装，节省PCB布局空间。
5. 能够承受较高的瞬态电压和电流冲击，增强器件的耐用性。
6. 支持宽温度范围，适应多种环境条件下的应用需求。
WS15P4N3U适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电路径管理。
6. 汽车电子系统中的功率管理模块。
IRLZ44N
AO3400
FDMQ8209
