WS15M2T-B 时间：2025/6/26 10:13:40 阅读：3

WS15M2T-B 是一款基于 MOSFET 技术的双通道电子开关芯片，适用于低电压、小信号切换和负载控制场景。该芯片内置了两个增强型 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式紧凑，非常适合便携式设备和空间受限的应用环境。
　　WS15M2T-B 通过优化的电路设计，确保了在高频工作条件下的稳定性和可靠性，同时具备良好的抗干扰性能。

参数

最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±10V
　　持续漏极电流(Id)：1.6A
　　导通电阻(Rds(on))：0.18Ω（典型值，@Vgs=4.5V）
　　总功耗(Ptot)：470mW
　　工作温度范围(Top)：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOT-23-6

特性

WS15M2T-B 的主要特性包括：
　　1. 集成了两个独立的增强型 N 沟道 MOSFET，简化了电路设计并减少了外部元件数量。
　　2. 具有较低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低功率损耗，提升系统效率。
　　3. 支持快速开关操作，适合高频应用环境。
　　4. 封装体积小 (SOT-23-6)，便于在空间受限的设计中使用。
　　5. 提供了宽泛的工作温度范围 (-40°C 至 +125°C)，能够在恶劣环境下保持稳定的性能表现。
　　6. 内部保护机制完善，包括过热关断功能和静电防护 (ESD)，提升了产品的可靠性和使用寿命。

应用

WS15M2T-B 广泛应用于以下领域：
　　1. 消费类电子产品中的负载切换，如智能手机、平板电脑等。
　　2. 电池管理系统 (BMS) 中的小电流开关控制。
　　3. 工业自动化设备中的信号隔离与切换。
　　4. LED 驱动器和小型电机驱动电路。
　　5. 数据通信接口保护及电源管理模块。
　　6. 各种需要小型化、低功耗设计的便携式设备。