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WS128K32N-25H1Q 发布时间 时间:2025/7/22 17:47:51 查看 阅读:6

WS128K32N-25H1Q 是一款由 Winbond(华邦电子)制造的高性能、低功耗的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片的容量为 128K x 32 位,总存储容量为 4MB,采用高速访问时间(25ns)设计,适用于需要高速数据存取的系统应用。该芯片采用标准的异步SRAM接口,适用于各种嵌入式系统、网络设备、通信设备和工业控制设备。

参数

容量:128K x 32 位
  访问时间:25ns
  电源电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:异步
  功耗:典型值 180mA(待机模式下低至10mA)

特性

WS128K32N-25H1Q 是一款专为高性能系统设计的静态随机存取存储器芯片,具备多项优良特性。其访问时间为25ns,能够满足高速数据读写需求,特别适用于对实时性要求较高的应用环境。芯片的电源电压为3.3V,支持低功耗模式,在待机状态下功耗极低,有助于延长电池供电设备的续航时间。此外,该芯片采用54引脚TSOP封装,具备良好的散热性能和机械稳定性,适合在工业级温度范围(-40°C至+85°C)内运行,适用于各种严苛的工业环境。
  该芯片的异步接口设计简化了与主控器的连接,兼容多种嵌入式系统的总线架构,方便工程师进行系统设计和调试。由于其高可靠性和稳定性,WS128K32N-25H1Q 广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络交换设备以及测试测量仪器等场景中。

应用

WS128K32N-25H1Q 主要用于需要高速、大容量数据缓存的电子系统中。常见的应用包括网络交换机和路由器中的数据缓存、嵌入式系统的临时存储器、工业控制设备中的图像处理缓冲区、医疗设备中的高速数据采集系统,以及各种测试和测量仪器中的临时数据存储模块。其低功耗特性和宽温工作范围也使其适用于便携式设备和户外设备中。

替代型号

ISSI IS61LV25632A-25B4I、Cypress CY62148E

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