类型：功率 MOSFET
　　沟道类型：N 沟道
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：27mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

WS1113-TR1G 是一款高性能的功率 MOSFET，具有多项显著的技术优势和应用特性。首先，它的导通电阻非常低，典型值仅为 27mΩ，这有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。在电源转换和 DC-DC 转换器等高频应用中，低 RDS(on) 对于提高能效至关重要。
　　其次，该器件的连续漏极电流可达 30A，适用于高电流负载的场合。其漏源电压为 60V，栅源电压则支持 ±20V，这种设计使得该 MOSFET 可以在较宽的电压范围内工作，并具有较强的抗电压波动能力。
　　此外，WS1113-TR1G 的最大功率耗散为 100W，具备良好的热管理性能。TO-252（DPAK）封装不仅提供了优良的散热能力，还便于表面贴装，适合自动化生产流程。该封装形式也适用于需要良好机械稳定性和热稳定性的应用场景。
　　从应用角度来看，WS1113-TR1G 适用于多种功率电子系统，包括电源管理、负载开关、电机控制、电池充电器和 DC-AC 逆变器等。其高电流能力和低导通损耗使其成为高性能电源转换器的理想选择。

WS1113-TR1G 主要应用于高功率和高频率的电子系统中。例如，在电源管理系统中，它可以作为主开关用于 DC-DC 转换器，以提高能量转换效率；在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于驱动高功率直流电机，提供稳定可靠的开关性能；在电池管理系统中，它可用于充放电控制电路，确保电池的安全运行。此外，该器件也适用于电源开关、负载开关、逆变器和不间断电源（UPS）等应用场合。

SiR110DP-T1-GE3, IRFZ44N, FDP6030L, IPD60R1K4PFD