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WS05D5-B 发布时间 时间:2025/6/27 13:07:38 查看 阅读:11

WS05D5-B 是一款高性能的 MOSFET 功率开关器件,基于先进的半导体制造工艺设计,适用于多种高频和高效能应用。该器件采用小尺寸封装,能够在较低的导通电阻下实现高效的功率转换,同时具备出色的热性能和电气特性。WS05D5-B 常用于消费电子、工业控制及汽车电子领域中的电源管理与驱动电路。
  该芯片的主要特点是低导通电阻、高开关速度以及良好的抗静电能力(ESD),使其在众多功率级应用中表现出色。

参数

类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  Vds(漏源电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):5mΩ
  Id(持续漏电流):120A
  栅极电荷:37nC
  封装:TO-220
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

WS05D5-B 具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低功耗并提升效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用。
  3. 强大的过流能力,支持高达120A的工作电流。
  4. 优异的热稳定性和可靠性,能够适应极端温度环境。
  5. 内置 ESD 保护功能,增强了器件的鲁棒性。
  6. 小型化封装设计,节省了印刷电路板的空间需求。
  这些特点使得 WS05D5-B 在需要高效率和高可靠性的场景中表现卓越,例如电机驱动、DC-DC 转换器和负载开关等。

应用

WS05D5-B 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
  4. 工业自动化设备中的信号调节和功率放大。
  5. LED 照明驱动电路中的电流调节与控制。
  由于其大电流承载能力和快速开关性能,WS05D5-B 特别适合对效率和散热要求较高的场合。

替代型号

IRFZ44N
  STP120NF06L
  FDP150N06SBD
  IXFN120N06T2

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