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WS05-4TP 发布时间 时间:2025/6/25 14:22:07 查看 阅读:3

WS05-4TP是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够有效提升系统的效率和可靠性。
  WS05-4TP的封装形式通常为TO-220或DPAK,具体根据应用场景选择不同的封装类型以优化散热性能和空间利用率。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:70nC
  开关时间:开启延迟时间20ns,上升时间10ns,关断延迟时间25ns,下降时间15ns

特性

WS05-4TP具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻,有助于降低导通损耗并提高系统效率。
  2. 高开关速度,适合高频应用环境,减少开关损耗。
  3. 优异的热稳定性,确保在高温条件下仍能保持可靠性能。
  4. 强大的浪涌电流承受能力,适用于需要瞬时大电流的应用场景。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

WS05-4TP适用于多种电力电子领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的主功率级开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压控制。
  3. 电机驱动电路中作为功率输出级元件。
  4. 负载开关和保护电路中的关键组件。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRFZ44N
  STP50NF06
  FDP5500

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