时间：2025/6/26 18:30:42
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WS03M2T-B 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用先进的制造工艺设计，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
型号：WS03M2T-B
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：1.6mΩ @ Vgs=10V
总功耗(Ptot)：38W
工作温度范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
栅极电荷(Qg)：19nC
反向恢复时间(trr)：15ns
WS03M2T-B 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，确保在大电流应用中提供更高的效率。
2. 高速开关性能，适合高频开关电源和转换器。
3. 优化的栅极电荷 (Qg)，降低了驱动损耗。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代工业要求。
5. 紧凑型 TO-252 封装，便于 PCB 布局和散热设计。
6. 广泛的工作温度范围，使其适用于恶劣环境下的应用。
7. 具有出色的可靠性和稳定性，可长期运行于各种复杂工况。
WS03M2T-B 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子中的电池管理与保护。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率控制的场景。
WS03M2T-A, IRF3710, FDN340P
