时间：2025/6/14 12:46:31
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WPN252012HR68MT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低能耗并提升系统性能。
该芯片属于N沟道增强型MOSFET，其封装形式为TO-263（DPAK），支持大电流输出，同时具有良好的热稳定性和可靠性，适合工业级及消费类电子产品的设计需求。
型号：WPN252012HR68MT
类型：N沟道功率MOSFET
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，在VGS=10V时）
ID（连续漏极电流）：47A
PD（总功耗）：140W
封装：TO-263 (DPAK)
fT（特征频率）：2.9MHz
VGS（栅源电压）：±20V
Qg（栅极电荷）：45nC
EAS（雪崩能量）：1.5J
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高击穿电压（VDS），确保在高压环境下的可靠运行。
3. 快速开关速度，支持高频应用，减少开关损耗。
4. 内置ESD保护功能，增强了抗静电能力，提升了器件的耐用性。
5. 热稳定性优异，能在高温条件下保持稳定的性能表现。
6. 符合RoHS标准，环保且适用于多种工业及消费领域。
7. 小型化封装设计，节省PCB空间，便于紧凑型设计。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机（BLDC）或其他类型的电机。
3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统中的功率转换元件。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。
7. 各种需要高效功率切换的场景。
WPN252012HR68MTL, IRF640N, FDP5500NL
