时间：2025/3/28 8:56:33
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WPN20R24D15 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。该器件广泛适用于各种电源管理应用，包括 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关以及电池保护电路等。
这款芯片特别适合需要高效能和低功耗的应用场景，其紧凑的封装形式能够有效节省 PCB 空间，同时提供卓越的电气性能。
型号：WPN20R24D15
类型：N 沟道功率 MOSFET
最大漏源电压(VDS)：20V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：24A
导通电阻(RDS(on))：1.5mΩ（在 VGS=10V 时）
总功耗(Ptot)：86W
工作温度范围(TA)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DFN8（3.3x3.3mm）
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，从而减少磁性元件体积并优化系统尺寸。
3. 强大的热性能，能够在高温环境下保持稳定运行。
4. 高电流承载能力，适合大功率应用。
5. 小型化封装设计，便于在空间受限的设计中使用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这些特性使得 WPN20R24D15 成为高密度电源转换和电机控制的理想选择。
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
3. 笔记本电脑和平板电脑的适配器与充电器。
4. 通信设备中的负载开关。
5. 工业自动化系统中的功率级控制。
6. 各类电池管理系统 (BMS)，用于防止过流或短路。
由于其高效能和稳定性，该器件适用于消费电子、工业控制以及汽车电子等多种行业。
WPN20R24D10, IRFZ44N, FDP5500
