型号：WPN201610U2R2MTY01
　　制造商：Weltrend (伟诠电子)
　　封装类型：SOP-8
　　工作电压范围：10V ~ 22V
　　启动电流：<5μA
　　典型工作频率：65kHz
　　控制模式：电流模式PWM + 准谐振（QR）
　　最大占空比：约80%
　　保护功能：过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）、前沿消隐（LEB）
　　集成MOSFET：内置650V高压MOSFET
　　待机功耗：<30mW（满足DoE Level VI）
　　驱动能力：500mA峰值栅极驱动电流

WPN201610U2R2MTY01具备多项先进电源管理特性，使其在小功率开关电源领域具有显著优势。首先，它采用了准谐振（QR）控制技术，能够在反激式变换器中检测MOSFET的漏源电压谷底，并在电压最低点进行开关导通，这种“谷底开关”机制有效降低了开关过程中的电压与电流重叠，大幅减少开关损耗，从而提升整体效率，尤其是在中高负载条件下表现突出。同时，QR模式还能降低电磁干扰（EMI），有助于简化EMI滤波电路设计，降低系统成本。
　　其次，该芯片内置了650V耐压的高压MOSFET和高压启动电路，省去了传统的启动电阻和外部偏置绕组，不仅减少了元件数量，还加快了启动速度，并显著降低了待机功耗。在轻载或空载状态下，芯片会自动进入突发模式（Burst Mode），通过调节开关频率和脉冲密度来维持输出电压稳定，同时最大限度地降低功耗，轻松实现低于30mW的待机能耗，完全符合国际能效标准要求。
　　再者，WPN201610U2R2MTY01集成了全面的保护功能，包括过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、短路保护（SCP）以及前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）功能，防止因噪声引起的误触发。这些保护机制确保了系统在各种异常工况下的安全运行，提高了产品的可靠性和寿命。此外，芯片还具备良好的动态响应能力和负载调整率，能够适应输入电压波动和输出负载变化，保持稳定的输出性能。

WPN201610U2R2MTY01主要应用于各类低功率AC-DC电源转换场景，特别适合对效率、体积和成本有较高要求的小型化电源设备。典型应用包括手机充电器、USB适配器、智能家居控制模块、物联网设备供电单元、路由器电源、智能音箱辅助电源、白色家电的待机电源、LED照明驱动电源以及工业传感器供电系统等。
　　在消费类电子产品中，该芯片因其高集成度和低待机功耗特性，被广泛用于五伏或十二伏输出的小功率开关电源设计中，支持单端反激式拓扑结构，外围电路简洁，仅需少量被动器件即可完成完整电源方案，有利于缩小PCB面积并降低BOM成本。此外，在需要满足严格能效法规的产品中，如出口至欧美市场的电源适配器，WPN201610U2R2MTY01凭借其符合DoE Level VI和Energy Star认证的能力，成为理想选择。
　　在工业应用方面，该芯片可用于为微控制器、继电器、传感器和其他低压电路提供隔离式直流电源。其内置高压MOSFET和自供电架构使其特别适合无辅助绕组的设计，进一步提升了系统可靠性。由于具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，该芯片也能在较为恶劣的电磁环境中稳定工作，适用于对长期运行稳定性有要求的应用场合。

WT75276
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