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WPE3611P1 发布时间 时间:2025/5/30 16:20:23 查看 阅读:7

WPE3611P1是一款高效能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种需要高效率和快速响应的应用场景。
  这款功率MOSFET主要针对中高电压应用而优化,其封装形式使其非常适合在紧凑型设计中使用。同时,它还具备出色的热性能,能够有效降低系统功耗并提高整体效率。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压Vds:600V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:11A
  导通电阻Rds(on):0.5Ω
  总功耗Ptot:240W
  结温范围Tj:-55°C to 175°C
  封装形式:TO-220

特性

WPE3611P1具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以显著减少传导损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频开关应用。
  3. 高雪崩能量承受能力,提高了系统的可靠性。
  4. 紧凑型封装,节省PCB空间。
  5. 出色的热性能,有助于提升器件的稳定性和使用寿命。
  6. 工作电压高达600V,适用于多种高压应用场景。

应用

该芯片广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电机驱动器中的功率级控制。
  3. 逆变器和转换器中的关键元件。
  4. 各类工业控制和家用电器中的功率管理模块。
  5. 电动汽车充电器和其他新能源相关设备中的高效功率转换组件。

替代型号

WPE3611P2, IRF840, STP11NK60Z

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