WPE2574N是一款高性能的N沟道MOSFET功率晶体管,适用于需要高效率和低导通电阻的应用场合。它采用了先进的制造工艺,具有出色的开关特性和较低的功耗。这款器件通常用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场景中。
该器件能够在较高的电流和电压条件下稳定运行,并且具备快速开关能力,适合现代电子设备对高效能和小型化的要求。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:80A
导通电阻(典型值):1.2mΩ
栅极电荷:60nC
开关时间:开启时间 15ns,关断时间 18ns
工作结温范围:-5℃
WPE2574N的主要特点是其非常低的导通电阻,这使得它在大电流应用中能够显著减少功率损耗并提高系统效率。
此外,该器件还具有快速的开关速度,可以有效降低开关损耗,在高频开关电路中表现出色。
其高电流承载能力和宽泛的工作温度范围也使其非常适合各种恶劣环境下的应用。
由于采用了先进的封装技术,WPE2574N还具有良好的散热性能,进一步增强了其可靠性与稳定性。
整体而言,这款MOSFET以其优异的电气特性和机械结构成为众多高功率应用的理想选择。
WPE2574N广泛应用于直流-直流转换器、开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车中的牵引逆变器、工业自动化设备中的电机控制以及消费类电子产品中的负载切换等场景。
其卓越的性能使其特别适合那些需要高效能量传输和严格热管理的设计方案。
同时,该器件还可以用作同步整流器或保护电路中的关键组件,为系统的稳定运行提供保障。
WPE2575N, IRFZ44N, FDP55N06L