WPE2491WP6是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低系统能耗并提升整体性能。
其封装形式为TO-263(D2PAK),支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和提高可靠性。WPE2491WP6适用于需要高电流承载能力和高效能转换的应用场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds:60V
最大栅源电压Vgs:±20V
持续漏极电流Id:50A
导通电阻Rds(on):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
总功耗Ptot:175W
工作结温范围Tj:-55℃至+175℃
封装形式:TO-263(D2PAK)
WPE2491WP6具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)仅为4.5mΩ),有助于减少导通损耗并提升系统效率。
2. 高电流承载能力(Id高达50A),适合大功率应用需求。
3. 良好的热性能设计,能够在极端温度条件下稳定运行。
4. 快速开关速度,降低开关损耗并支持高频操作。
5. 提供过流保护和短路耐受能力,增强系统的可靠性和安全性。
6. 表面贴装封装形式(TO-263/D2PAK),简化了PCB设计和生产流程。
WPE2491WP6适用于以下典型应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业设备中的负载切换和保护。
4. 通信电源和不间断电源(UPS)中的功率转换模块。
5. 新能源汽车电子中的电池管理系统(BMS)和DC-DC转换器。
6. LED驱动器和其他需要高效功率管理的领域。
WPE2491WP5, IRFZ44N, FDP5580