WPE1891WD3是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先进的半导体制造工艺。该器件主要应用于需要高效率和低损耗的电力电子设备中,具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
这款MOSFET适合在要求高效能、高频开关的应用场景下使用,例如DC-DC转换器、电源适配器、LED驱动电路以及电机控制等领域。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:12A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:35nC
开关速度:150ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
WPE1891WD3的主要特点是其出色的电气性能和可靠性:
1. 采用N沟道增强型技术,具备较低的导通电阻,能够有效减少功率损耗。
2. 高速开关特性使得其非常适合高频应用场合。
3. 内部集成过温保护功能,在异常情况下可自动关闭以防止损坏。
4. 具备优秀的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
5. 封装形式为TO-220,便于安装与散热处理。
WPE1891WD3广泛应用于各种电力电子领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管或功率开关。
3. LED照明系统的恒流驱动电路。
4. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
IRF840,
STP12NK65Z,
FQP17N60