时间：2025/6/26 9:52:17
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WPE17VD3BB是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关和其他功率管理场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低功耗并提升系统性能。
WPE17VD3BB适合在需要高效能与高可靠性的应用场合中使用，其封装形式紧凑，便于集成到各类电子设备中。
漏源极电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：28A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：19nC
最大工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263(D2PAK)
静态漏电流(Idss)：250μA
总功耗(Ptot)：20W
WPE17VD3BB的主要特点是其超低的导通电阻，仅为4.5mΩ，这使其成为高效功率转换的理想选择。同时，该器件具备快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
此外，WPE17VD3BB的工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行。其坚固耐用的设计还支持更高的电流密度和更长的产品寿命。
这款MOSFET采用D2PAK封装，不仅提高了散热性能，而且减少了寄生电感的影响，非常适合高频开关应用。整体而言，WPE17VD3BB凭借卓越的电气特性和热性能，为设计工程师提供了灵活性和可靠性。
WPE17VD3BB适用于多种功率转换和控制领域，包括但不限于：
- 开关模式电源(SMPS)
- 电机驱动和控制
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 汽车电子系统
- 工业自动化设备
由于其出色的电气性能，它特别适合于需要高效功率传输的应用场景，如电动汽车充电器、通信电源以及家用电器中的功率管理模块。
WPE17VD3BQ, IRFZ44N, FDP17N60
