时间：2025/7/12 3:07:32
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WPE1215XPE 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，广泛应用于功率转换、电机驱动、负载开关等领域。其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装，适合高密度电路板设计。
WPE1215XPE 的主要特点是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗并提高整体效率。同时，它具备较高的漏源击穿电压 (BVDSS)，确保在高压环境下的可靠运行。
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
漏源击穿电压(BVDSS)：30V
连续漏极电流(ID)：2.8A
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.6V~3.0V
导通电阻(Rds(on))：45mΩ（典型值，当 Vgs=4.5V 时）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
1. 超低导通电阻，有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用场合。
3. 高度集成的小型封装 (SOT-23)，节省 PCB 空间。
4. 较宽的工作温度范围，适应各种严苛环境。
5. 优秀的热稳定性和可靠性，延长使用寿命。
6. 符合 RoHS 标准，环保友好。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 消费电子产品的负载开关和保护电路。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
4. 便携式设备的电源管理模块。
5. 工业自动化中的信号隔离与驱动电路。
6. LED 驱动和汽车电子中的功率控制。
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