时间：2025/6/6 0:44:34
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WPE0991ZP4 是一款基于硅基材料设计的高性能功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该芯片采用先进的制程技术制造，具备低导通电阻、高效率和卓越的热性能。其封装形式紧凑，适合对空间要求较高的应用场合。
这款器件能够在高频开关条件下提供稳定的性能表现，同时支持多种保护功能，如过流保护和短路保护等，从而提高系统的可靠性和安全性。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
持续漏极电流（Id）：35A
导通电阻（Rds(on)）：4mΩ
栅极电荷（Qg）：45nC
总功耗（Ptot）：17W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263
WPE0991ZP4 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达 35A 的持续漏极电流。
3. 支持高频开关操作，适用于开关电源、DC-DC 转换器等高频应用场景。
4. 优化的热性能设计，确保在高功率运行条件下的稳定性。
5. 内置多种保护机制，增强产品的可靠性和使用寿命。
6. 小型化封装，节省 PCB 空间，满足现代电子设备的小型化需求。
7. 工作温度范围广，适应各种恶劣环境下的使用需求。
WPE0991ZP4 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路，用于控制电机的速度和方向。
4. 汽车电子系统，例如电动助力转向系统（EPS）、制动系统等。
5. 各类工业自动化设备中的负载开关。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。
7. 其他需要高效功率转换的应用场景。
WPE0992ZP4, IRFZ44N, FDP5570
