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WPE0571NP1 发布时间 时间:2025/7/10 15:38:04 查看 阅读:15

WPE0571NP1 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用 N 沟道增强型场效应晶体管技术。该器件适用于多种高效率开关应用,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。其设计优化了导通电阻与开关速度之间的平衡,从而实现了低损耗和高可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻(Rds(on)):1.3mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  栅极电荷:85nC(典型值)
  反向恢复时间:15ns(典型值)
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

WPE0571NP1 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关性能,能够支持高频应用,降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了在异常条件下的鲁棒性。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅工艺制造。
  5. 大电流处理能力,满足工业和汽车级应用需求。
  6. 稳定的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠运行。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
  2. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流负载开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 工业设备中的功率控制模块。
  5. 汽车电子系统中的大功率开关元件。

替代型号

WPE0570NP1, IRF540N, FDP057AN

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