时间：2025/6/17 7:23:35
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WPE0514JP5是一款基于硅技术设计的高压MOSFET功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效提升系统效率并降低功耗。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，采用TO-220封装形式，适合高电流、高电压环境下的电力电子应用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：5.3A
栅极-源极电压：±20V
导通电阻：0.75Ω
总功耗：125W
工作结温范围：-55℃至+175℃
存储温度范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，最大漏源电压高达650V，适用于高压环境。
2. 低导通电阻，有助于减少导通损耗，提高整体效率。
3. 快速开关性能，可实现高频操作，降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 内置ESD保护电路，增强了器件的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的开关器件。
4. 工业控制设备中的高压开关。
5. 其他需要高效功率管理的应用场景。
WPE0514JP6, IRF840, STP55NF06
