时间：2025/8/1 3:23:55
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WP7A30F是一款由WeEn半导体（原NXP的功率半导体部门）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池供电设备等多种场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：@4.5V下最大为7.2mΩ，@2.5V下最大为9.8mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerPAK SO-8双面散热封装
WP7A30F MOSFET具有多项显著特性，首先其采用先进的Trench沟槽技术，显著降低了导通电阻，提高了能效。其次，该器件具备非常低的栅极电荷（Qg），从而降低了开关损耗，非常适合高频开关应用。此外，其PowerPAK SO-8双面散热封装设计不仅提高了散热性能，还节省了PCB空间，使其适用于高密度功率设计。器件支持逻辑电平驱动，栅源电压最低可在2.5V下正常工作，兼容多种控制器和驱动器电路。同时，其热稳定性良好，能在高负载条件下保持可靠运行，具备较长的使用寿命和较高的耐用性。最后，器件具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在突发电压和电流冲击下的稳定性。
WP7A30F广泛应用于多个领域，包括但不限于：高性能DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信设备电源模块以及汽车电子系统中的功率管理部分。此外，它也适用于便携式电子设备中的高效电源转换电路。
Si7496DP, NexFET CSD87351Z, IPB036N06N3
