WP7-S050 是一款由 Winsok Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及其他需要高效、高电流能力的电路中。WP7-S050 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻、高耐压以及高电流处理能力,适用于各种中高功率应用。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):100A
导通电阻(RDS(on)):5mΩ(典型值,VGS=10V)
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
功率耗散(PD):100W
WP7-S050 具备多项优异的电气和物理特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))为 5mΩ,这在高电流工作条件下可以显著降低功率损耗,提高系统效率。该特性对于电池供电设备、电源转换器和电机控制电路尤为重要。
其次,该器件支持高达 100A 的连续漏极电流,使其适用于需要高负载能力的场合。此外,WP7-S050 的漏源耐压为 30V,能够在大多数低压功率系统中稳定运行,如 12V 和 24V 电源系统。
在热性能方面,该器件采用 TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能,有助于在高功率密度设计中维持较低的工作温度。同时,该器件的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适用于工业级和汽车电子等对环境温度要求较高的应用场景。
此外,WP7-S050 还具有良好的栅极驱动兼容性,支持标准 10V 栅极驱动电压,也可在较低电压(如 4.5V)下工作,适用于多种类型的驱动电路和逻辑控制器。
WP7-S050 广泛应用于多种电子系统和设备中,特别是在需要高电流和低导通损耗的功率控制场合。其典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统(BMS)、电源管理模块以及工业自动化控制系统。
在同步整流 DC-DC 转换器中,WP7-S050 可用于高边或低边开关,因其低 RDS(on) 特性可显著提高转换效率,减少发热。在负载开关应用中,该器件能够快速切换大电流负载,如风扇、LED 阵列和加热元件,同时提供过流和过温保护的潜力。
此外,在马达驱动器中,WP7-S050 常用于 H 桥结构中作为功率开关,支持高电流通过并实现高效的电机控制。在电池管理系统中,它可用于电池充放电路径的控制,确保系统在高负载条件下的稳定性和安全性。
由于其优异的热性能和宽工作温度范围,该器件也适合用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车身控制模块等。
Si7461DP, IRF1010E, FDP6675, IPPB90N03S4-03