WP27D-S030VA3-R15000是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高频开关应用设计。该型号采用先进的半导体制造工艺,能够提供低导通电阻和快速开关特性,适用于各类电源管理、电机驱动和DC-DC转换器等场景。
WP27D系列以高可靠性和高效能著称,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
类型:N沟道 MOSFET
封装:TO-263 (DPAK)
最大漏源电压Vds:30V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:98A
导通电阻Rds(on):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷Qg:27nC(典型值)
总功耗Ptot:150W
工作温度范围Tj:-55°C至+175°C
WP27D-S030VA3-R15000具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度,可降低开关损耗,适合高频应用。
3. 高雪崩耐量能力,确保在异常情况下仍能正常运行。
4. 良好的热性能,支持长时间稳定工作。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
6. 提供优异的电磁兼容性(EMC)表现,减少对周围电路的干扰。
这些特点使该器件非常适合需要高效率、高可靠性的应用环境。
WP27D-S030VA3-R15000的主要应用场景包括:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关管。
2. DC-DC转换器的核心功率级元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 汽车电子系统中的各种功率控制模块。
由于其出色的电气性能和热稳定性,这款MOSFET在多种功率控制场合中表现出色。
WP27D-S030VA3-R10000
IRF3205
FDP060N03L
STP90NF03L