时间：2025/5/7 10:30:21
阅读：11
WP26DK-P010VA3-R15000是一种高性能功率MOSFET器件，采用先进的制造工艺，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等高效率电力电子系统。该芯片以其低导通电阻和快速开关速度而著称，能够显著降低功耗并提升系统的整体性能。
此型号中的R15000代表了其导通电阻为15mΩ（典型值），适用于高电流应用场合，同时具备出色的热特性和电气稳定性。
类型：N沟道增强型MOSFET
电压等级：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：70nC
最大工作结温：175°C
封装形式：TO-247
WP26DK-P010VA3-R15000具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻确保在高电流应用中减少传导损耗。
2. 快速开关能力使其非常适合高频应用，例如开关电源和PWM控制器。
3. 高雪崩能量能力增强了器件在瞬态条件下的鲁棒性。
4. 具备优秀的热稳定性和可靠性，能够在恶劣环境下长时间运行。
5. 小巧的封装设计有助于节省电路板空间，同时提供高效的散热性能。
该功率MOSFET适用于多种工业和消费类电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动控制
3. DC-DC转换器
4. 太阳能逆变器
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统中的负载切换
7. UPS不间断电源
其强大的电流承载能力和高效性能使它成为众多高功率应用的理想选择。
IRFP2907ZPBF
IXFN100N06L2
FDP057AN
STP100NF06L
