时间：2025/9/2 18:15:40
阅读：26
WP-90409L6是一种高压MOSFET功率晶体管，通常用于高功率开关应用中。这款MOSFET由威世（Vishay）公司生产，具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和高电压系统中。其封装形式为TO-247，便于散热并适用于高功率环境。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：900V
最大漏极电流（Id）：9A
导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：54nC（典型）
最大功耗（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装：TO-247
WP-90409L6是一款设计用于高电压和高功率应用的MOSFET器件，其主要特性包括高达900V的漏源击穿电压，能够在高压环境下稳定工作。该器件的低导通电阻特性（Rds(on)最大为0.65Ω）有效降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具备较高的电流处理能力，额定漏极电流为9A，适用于中高功率的开关电源和DC-DC转换器应用。
该器件采用TO-247封装形式，具备良好的散热性能，适合在高温环境下运行。其栅极电荷（Qg）为54nC，使得开关速度较快，减少了开关损耗，提高了系统的动态响应能力。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力和短路耐受性，能够有效提高系统的可靠性和稳定性。
WP-90409L6还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定运行。适用于工业电源、电机控制、照明系统、光伏逆变器以及各种高压功率转换系统。
WP-90409L6广泛应用于高压功率转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、照明镇流器、光伏逆变器和工业自动化设备。其优异的导通性能和高压耐受能力使其成为高效率电源系统中的理想选择。
IXFH9N90Q, IRF840, FQA9N90C
