时间：2025/5/8 12:23:14
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WNT2F04-3/TR 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等电路中。该器件采用 TO-252 封装形式，具备低导通电阻和高效率的特性，适用于中小功率应用场合。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻：60mΩ
栅极阈值电压：2V~4V
功耗：1.4W
工作温度范围：-55℃~150℃
WNT2F04-3/TR 的主要特性包括以下几点：
1. 低导通电阻（Rds(on)）：在典型条件下仅为 60mΩ，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度：由于其优化的栅极电荷设计，可以实现快速的开启与关闭时间，从而降低开关损耗。
3. 高雪崩能力：能够承受一定程度的能量冲击，增强可靠性。
4. 小尺寸封装：TO-252 封装适合表面贴装技术 (SMT)，便于自动化生产。
5. 热稳定性强：可在 -55℃ 至 150℃ 的宽温度范围内正常工作，适应各种环境条件。
6. 符合 RoHS 标准：无铅设计，环保且满足国际法规要求。
WNT2F04-3/TR 常用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
在 AC-DC 或 DC-DC 转换器中作为主开关管或同步整流管使用。
2. 电机驱动：
适用于小型直流电机或步进电机控制中的 H 桥配置。
3. 负载开关：
提供高效的负载切换功能以保护后级电路。
4. 电池管理：
用作电池组中的保护元件，避免过流或短路情况。
5. 工业控制：
参与各类工业设备中的信号放大和功率调节任务。
IRLZ44N, FDP5500
