时间：2025/3/27 14:29:39
阅读：24
WNM2030-3/TR 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效能功率晶体管，专为高频开关应用设计。该型号属于 Wolfspeed 公司推出的 GaN 系列产品，采用增强型场效应晶体管 (eGaN FET) 技术，能够提供出色的开关速度和低导通电阻性能。其封装形式为 SOT-227B，适合高功率密度设计。
这款器件在射频放大器、DC-DC 转换器以及电源管理领域有着广泛应用，同时得益于 GaN 的材料特性，能够在高频和高温环境下保持稳定运行。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：3A
导通电阻：140mΩ
栅极电荷：28nC
开关频率：超过10MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
WNM2030-3/TR 的主要特点是其超低的导通电阻与快速的开关能力，这使得它非常适合需要高效能和高频率操作的应用场景。此外，由于使用了氮化镓技术，该器件还具有更高的热稳定性及更小的寄生电感，从而减少开关损耗并提升整体系统效率。
另外，此晶体管具备短路保护功能，在异常条件下可以有效防止器件损坏。这些优势使其成为现代电力电子设备的理想选择，尤其是在体积受限且要求高性能输出的设计中。
1. 高效 DC-DC 转换器：利用其快速开关特性和低导通电阻来提高转换效率。
2. 射频功率放大器：凭借其高频性能，在通信基站或雷达系统中发挥重要作用。
3. 电机驱动器：用于工业自动化中的高速电机控制，实现精确的速度调节。
4. 充电器与适配器：适用于消费类电子产品中的快充解决方案，降低发热并加快充电速度。
Cree WNM2030-3/PTR, Infineon IPW203N060C7
