WNM2024-3/TR 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率开关器件,广泛应用于高频DC-DC转换器、电源管理模块和射频功放电路中。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够显著提升系统的功率密度和效率。
这款器件采用了先进的封装技术,具备出色的散热特性和电气稳定性,同时支持表面贴装工艺,便于自动化生产。其设计特别适合于需要高性能和小型化的应用场景。
类型:功率开关
材料:氮化镓(GaN)
额定电压:200V
额定电流:2A
导通电阻:8mΩ
开关频率:最高5MHz
封装形式:SOT-23
工作温度范围:-40℃至+125℃
WNM2024-3/TR 具有以下主要特性:
1. 高效的氮化镓半导体技术,大幅降低导通损耗和开关损耗。
2. 极低的导通电阻,减少发热并提高系统效率。
3. 支持高达5MHz的开关频率,使得电感器和变压器等外围元件可以做得更小。
4. 内置过温保护和过流保护功能,增强器件的可靠性。
5. 小型化封装设计,适合紧凑型应用环境。
6. 宽工作温度范围,确保在极端条件下的稳定运行。
WNM2024-3/TR 主要用于以下领域:
1. 高频DC-DC转换器,特别是在笔记本电脑、服务器和其他便携式设备的电源模块中。
2. 射频功率放大器,适用于通信基站和雷达系统。
3. 快速充电适配器和USB-PD控制器,提供高效能量传输。
4. 工业控制设备中的电源管理单元。
5. 电动汽车车载充电器和DC-DC变换器组件。
WNM2024-2/TR, WNM2024-4/TR