WNM2024-3/TR 时间：2025/6/4 3:16:55 阅读：7

WNM2024-3/TR 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关器件，广泛应用于高频DC-DC转换器、电源管理模块和射频功放电路中。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够显著提升系统的功率密度和效率。
　　这款器件采用了先进的封装技术，具备出色的散热特性和电气稳定性，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产。其设计特别适合于需要高性能和小型化的应用场景。

参数

类型：功率开关
　　材料：氮化镓（GaN）
　　额定电压：200V
　　额定电流：2A
　　导通电阻：8mΩ
　　开关频率：最高5MHz
　　封装形式：SOT-23
　　工作温度范围：-40℃至+125℃

特性

WNM2024-3/TR 具有以下主要特性：
　　1. 高效的氮化镓半导体技术，大幅降低导通损耗和开关损耗。
　　2. 极低的导通电阻，减少发热并提高系统效率。
　　3. 支持高达5MHz的开关频率，使得电感器和变压器等外围元件可以做得更小。
　　4. 内置过温保护和过流保护功能，增强器件的可靠性。
　　5. 小型化封装设计，适合紧凑型应用环境。
　　6. 宽工作温度范围，确保在极端条件下的稳定运行。

应用

WNM2024-3/TR 主要用于以下领域：
　　1. 高频DC-DC转换器，特别是在笔记本电脑、服务器和其他便携式设备的电源模块中。
　　2. 射频功率放大器，适用于通信基站和雷达系统。
　　3. 快速充电适配器和USB-PD控制器，提供高效能量传输。
　　4. 工业控制设备中的电源管理单元。
　　5. 电动汽车车载充电器和DC-DC变换器组件。