时间：2025/12/23 16:07:07
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WNM03360DN 是一款由威世科技（Vishay）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于开关应用和电源管理。该器件采用TrenchFET Gen III技术，具有极低的导通电阻和优秀的开关性能，适用于高效率、高密度的功率转换电路。
该芯片通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等应用中，能够在高频条件下提供高效的功率传输和良好的热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：85A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（在典型工作条件下）
栅极电荷：79nC
输入电容：4240pF
总功耗：255W
封装类型：PowerPAK 8x8
WNM03360DN具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，确保高效的功率传输并降低发热。
2. 快速的开关速度，减少开关损耗。
3. 高额定电流能力，适合大功率应用。
4. 符合RoHS标准，环保设计。
5. 小型化封装，节省PCB空间。
6. 良好的热稳定性和可靠性，适应恶劣的工作环境。
7. 支持宽范围的工作温度，从-55°C到+175°C。
这款功率MOSFET广泛应用于多种领域：
1. 工业设备中的电机驱动和控制。
2. 汽车电子系统中的负载切换和电池保护。
3. 通信电源中的DC-DC转换器。
4. 笔记本电脑和服务器的电源管理。
5. LED照明驱动电路。
6. 各类消费类电子产品中的功率开关功能。
IRF3205, STP110N3LLH5, FDP057AN
