时间：2025/5/12 12:10:28
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WNM02143DN是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其封装形式通常为TO-263或DPAK，适用于各种需要高效功率转换和开关的应用场景。
该MOSFET在电源管理、电机驱动、负载开关以及其他功率电子应用中表现出色。由于其低导通电阻特性，能够有效减少功率损耗，提高整体系统效率。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：42A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：98nC
总电容：2350pF
工作结温范围：-55°C至175°C
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，确保在过载情况下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保设计。
5. 热稳定性强，能够在极端温度环境下可靠运行。
6. 小尺寸封装，便于PCB布局和节省空间。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流器。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池保护和负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制。
6. 汽车电子系统中的高可靠性功率开关。
IRF260N, STP36NF06, FDP5500
