时间：2025/6/12 15:28:06
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WMQ50N03是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，主要用于开关和功率放大应用。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种电子设备中的功率管理电路、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等场景。
WMQ50N03以其出色的性能和可靠性被广泛应用于消费类电子产品、工业控制以及通信设备等领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：85nC
总耗散功率：170W
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗，提高效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能保持稳定性能。
5. 小巧的封装设计，便于集成到紧凑型电路中。
6. 符合RoHS标准，环保且易于焊接。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 各种工业控制设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的电源管理单元。
IRFZ44N
STP50NF06
FDP50N06L
