时间：2025/12/27 1:00:04
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WLD2-N是一款由WeEn Semiconductors（瑞能半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等中高功率电子系统中。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合在要求高效能和紧凑设计的场合使用。WLD2-N通常封装于TO-252（DPAK）或类似的表面贴装功率封装中，便于在PCB上进行散热管理和自动化装配。该MOSFET设计用于在600V的高电压条件下工作，能够承受较大的漏极电流，并具备较强的抗雪崩能力和耐用性，适用于工业控制、照明电源、开关模式电源（SMPS）以及消费类电子产品中的功率开关应用。由于其优良的电气特性与可靠性，WLD2-N成为许多中功率电源拓扑结构中的理想选择之一。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：1.8A @ 25°C
脉冲漏极电流（Idm）：7.2A
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：2.2Ω @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：2.8Ω @ Vgs=4.5V
栅极电荷（Qg）：35nC @ Vgs=10V
输入电容（Ciss）：1050pF @ Vds=25V
反向恢复时间（trr）：45ns
阈值电压（Vgs(th)）：3.0V ~ 5.0V
功耗（Ptot）：50W
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装：TO-252 (DPAK)
WLD2-N采用先进的高压沟槽栅极MOSFET工艺，具备出色的动态性能和静态参数表现。其最大漏源击穿电压为600V，使其适用于通用开关电源、PFC电路及工业电源系统中的主开关或同步整流器件。该器件的低导通电阻（典型值2.2Ω在Vgs=10V时）有效降低了导通损耗，提升了整体系统效率，尤其在轻载和中等负载条件下表现优异。
该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=35nC），有助于减少驱动电路的功耗并提高开关频率，从而支持更小型化的磁性元件设计。同时，其输入电容（Ciss）为1050pF，在高频应用中表现出良好的响应特性。此外，器件具备较短的反向恢复时间（trr=45ns），在桥式电路或存在体二极管导通的应用中可显著降低开关应力，避免因反向恢复引起的电压尖峰和EMI问题。
WLD2-N的阈值电压范围为3.0V至5.0V，确保了在标准逻辑电平驱动下的可靠开启，同时也兼容常见的PWM控制器输出。其TO-252封装提供了良好的热传导路径，可通过PCB铜箔或外接散热片实现有效散热，满足长时间高负荷运行的需求。器件符合RoHS环保标准，无卤素，适用于绿色电子产品制造。此外，该器件具备优良的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感负载切换过程中保持稳定工作，增强了系统的鲁棒性和可靠性。
WLD2-N广泛应用于各类中功率电力电子设备中，典型应用场景包括：开关模式电源（SMPS），特别是反激式、正激式和半桥拓扑结构的主开关器件；功率因数校正（PFC）电路中的升压开关；LED恒流驱动电源中的高压侧开关；工业电机驱动控制板中的低边开关；以及消费类适配器、充电器、电视电源模块等产品。此外，它也可用于DC-DC变换器、太阳能微逆变器辅助电源、继电器或电磁阀的驱动电路中。由于其高耐压特性和良好的热性能，WLD2-N特别适合需要长期稳定运行且空间受限的设计环境。
