WL1285CYFVT 时间：2025/7/7 19:08:31 阅读：37

WL1285CYFVT是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，能够有效降低系统能耗并提升整体性能。
　　WL1285CYFVT属于N沟道增强型MOSFET，支持高频开关操作，广泛适用于工业控制、消费电子及通信设备等领域。

参数

型号：WL1285CYFVT
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：40A
　　导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
　　总功耗(Ptot)：160W
　　工作温度范围(Ta)：-55℃ to +175℃

特性

WL1285CYFVT具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效减少导通损耗，提高系统效率。
　　2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
　　3. 高雪崩耐量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
　　4. 内置ESD保护功能，提高了产品的抗静电能力。
　　5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
　　6. 耐热性能优越，能够在极端温度条件下稳定运行。

应用

WL1285CYFVT因其卓越的性能被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器中的高端或低端开关元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级开关。
　　4. 工业自动化设备中的负载切换。
　　5. 汽车电子系统中的电池管理与保护。
　　6. LED驱动器中的功率调节组件。