产品类型：功率电感器
　　电感值：68μH ±20%
　　额定电流（Isat）：1.5A（典型值，电感下降10%）
　　额定电流（Irms）：1.8A（温升40°C）
　　直流电阻（DCR）：0.075Ω（最大值）
　　自谐振频率（SRF）：≥5MHz（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +155°C
　　封装尺寸：8.0mm x 8.0mm x 4.0mm
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　磁屏蔽类型：全屏蔽结构
　　端子材料：铜合金，镀锡

WL08GT68N功率电感器的核心特性之一是其优异的电流处理能力与低损耗之间的平衡。该电感采用高导磁率铁氧体磁芯与精密绕线工艺结合，确保在大电流条件下仍能维持较高的电感稳定性。其饱和电流（Isat）定义为电感值下降10%时的电流，WL08GT68N在此条件下的典型值为1.5A，意味着在实际应用中即使面对瞬态高电流冲击，也能有效防止电感迅速饱和，从而保障电源系统的稳定输出。同时，其温升电流（Irms）高达1.8A，在连续工作状态下可承受较大的有效值电流而不会导致过热损坏，适用于高负载持续运行的应用场景。
　　另一个显著特点是其极低的直流电阻（DCR），最大仅为0.075Ω。这一参数直接关系到电感在工作过程中的铜损大小，低DCR有助于提升电源转换效率，减少发热，延长系统寿命。特别是在电池供电设备中，如智能手机、平板电脑或便携式医疗设备，WL08GT68N能够帮助降低功耗，提高能源利用率。
　　该器件采用全屏蔽磁芯结构，极大程度地抑制了磁场泄漏，减少了对外部元件的电磁干扰（EMI），同时也增强了自身抗干扰能力。这对于多层PCB或高密度布线环境尤为重要，可以避免邻近信号线受到感应噪声影响，提升系统整体的电磁兼容性（EMC）。此外，屏蔽结构还有助于改善热传导路径，使热量更均匀地分布并散发出去。
　　WL08GT68N的工作温度范围宽达-40°C至+125°C，满足工业级应用需求，可在高温环境下可靠运行。其材料和结构设计经过严格的老化测试和环境适应性验证，具备良好的耐湿性、耐振动性和抗机械冲击能力，适合用于汽车电子、工业控制等严苛环境。封装尺寸紧凑，标准化的SMD外形便于自动化贴片生产，提升了制造效率和一致性。

WL08GT68N广泛应用于各类需要高效能、小体积功率电感的电源电路中。常见用途包括但不限于：DC-DC升压、降压及升降压转换器，特别是在开关频率为数百kHz至数MHz范围内的同步整流拓扑中表现优异；用于CPU、GPU或FPGA等核心芯片供电的电压调节模块（VRM）中，作为储能元件提供稳定的电流输出；在负载点电源（Point-of-Load, POL）架构中，由于其高电流能力和小尺寸，成为理想的滤波和储能选择；此外，还适用于LED驱动电源、便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）、工业控制系统、网络通信设备以及车载电子系统等。
　　在电池管理系统（BMS）或电源管理单元（PMU）中，WL08GT68N可用于构建高效的能量转换路径，实现低静态功耗与高动态响应的平衡。其低EMI特性也使其适用于对电磁干扰敏感的射频模块附近供电电路，避免干扰无线信号传输。在新能源领域，如太阳能逆变器或小型储能装置的辅助电源中，该电感亦可发挥其高可靠性和长寿命的优势。总之，凡是需要在有限空间内实现高效率、高稳定性的电能转换场合，WL08GT68N都是一种值得信赖的关键元件。

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