型号：WL05JTR25
　　齐纳电压（VZ）：25V（标称值）
　　齐纳电压容差：±5%
　　齐纳测试电流（IZT）：1mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：500Ω
　　额定功耗（Ptot）：500mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-323（SC-90）
　　安装方式：表面贴装（SMT）
　　极性：单齐纳二极管（阴极为标记端）
　　反向漏电流（IR）：≤ 1μA（在VR = 20V时）
　　温度系数：+6mV/°C（典型值，在25V附近）

WL05JTR25齐纳二极管的核心特性之一是其高精度的电压调节能力。该器件在标称25V的齐纳电压下工作，电压容差仅为±5%，这意味着实际击穿电压范围维持在23.75V至26.25V之间，满足大多数对电压稳定性要求较高的应用场景。这种精度使其非常适合作为基准电压源或用于反馈回路中的电压设定元件。其测试电流设定为1mA，表明在低电流条件下即可实现稳定的齐纳击穿行为，从而适用于低功耗系统设计。
　　另一个关键特性是其低动态阻抗表现。在规定的测试条件下，最大齐纳阻抗为500Ω，这一数值保证了当负载电流发生微小变化时，输出电压的变化幅度被有效抑制，提升了系统的整体稳定性。同时，该器件具备良好的温度稳定性，尽管在25V附近的齐纳二极管通常表现出正温度系数（约+6mV/°C），但这一变化趋势相对线性且可预测，便于在需要温度补偿的设计中进行外部校正。通过搭配负温度系数的元件（如热敏电阻或其他半导体器件），可以构建出温度无关的参考电压源。
　　WL05JTR25采用SOD-323小型表面贴装封装，尺寸紧凑（典型尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.1mm），非常适合便携式设备、智能手机、物联网终端及高密度PCB布局的应用场景。该封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，在正常工作条件下能够有效将内部产生的热量传导至PCB焊盘，提升长期工作的可靠性。此外，器件的反向漏电流极低，在20V反向电压下不超过1μA，有助于减少待机状态下的能耗，特别适用于电池供电系统。
　　从可靠性角度看，WL05JTR25经过严格的生产筛选和老化测试，能够在-55°C至+150°C的结温范围内持续工作，展现出卓越的环境适应能力。无论是高温工业控制设备还是低温户外电子装置，都能稳定运行。同时，该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准的部分要求，使其也可应用于汽车电子中的非主控类电路，如传感器接口或辅助电源监控模块。综合来看，WL05JTR25凭借其精准、稳定、小型化和高可靠性的特点，成为现代电子系统中不可或缺的基础元件之一。

WL05JTR25广泛应用于多种电子电路中，尤其是在需要稳定参考电压或过压保护功能的场合。一个典型的应用是在开关电源（SMPS）的反馈控制环路中作为电压基准元件，配合光耦和误差放大器实现输出电压的精确调节。例如，在反激式转换器中，WL05JTR25可连接在TL431的参考端，设定输出电压的分压比，确保输出电压恒定。由于其电压精度高且温度漂移可控，因此能显著提高电源的整体稳压性能。
　　在信号调理电路中，WL05JTR25常被用作钳位二极管，防止输入信号超过安全电平。例如，在ADC前端保护电路中，它可以限制输入电压不超出允许范围，避免损坏敏感的模数转换器。同样，在通信接口（如RS-232、CAN总线）中，该齐纳二极管可用于瞬态电压抑制，结合TVS二极管或限流电阻构成多级防护网络，提升系统的电磁兼容性（EMC）和抗干扰能力。
　　此外，WL05JTR25也适用于电压检测与监控电路。在电池管理系统（BMS）或电源监控模块中，它可以通过分压网络设定阈值电压，触发比较器动作，从而实现欠压或过压报警功能。由于其低漏电流特性，在低功耗待机模式下不会显著增加系统静态电流，适合用于节能型设备。
　　在工业自动化和测量仪器领域，该器件可作为精密参考源的一部分，用于校准传感器信号或偏置运算放大器。虽然不如专用带隙基准芯片精度高，但在成本敏感且精度要求适中的设计中，WL05JTR25提供了良好的性价比解决方案。此外，由于其小型封装优势，也被广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中，执行局部电压箝位或ESD保护功能。

MMSZ5251BT1G
　　PDZ25B-AE3
　　BZT52C25-GS08
　　ZMM25