型号：WL05GTR60
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5.0A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：20A
　　导通电阻(RDS(on))：5.0mΩ @ VGS=10V, ID=2.5A
　　导通电阻(RDS(on))：6.0mΩ @ VGS=4.5V, ID=2.5A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：850pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：350pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：15ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN1006(双引脚无引线封装)

WL05GTR60具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下仅为5.0mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以直接延长电池续航时间。同时，在VGS=4.5V时RDS(on)仍保持在6.0mΩ，表明该器件即使在较低的栅极驱动电压下也能维持良好的导通性能，兼容3.3V逻辑电平控制电路，无需额外的电平转换器即可直接由微控制器驱动。
　　该MOSFET采用先进的沟槽结构设计，优化了载流子迁移路径，从而实现了更高的跨导和更快的开关速度。其输入电容Ciss为850pF，输出电容Coss为350pF，在同类产品中处于较低水平，有助于减少开关过程中的能量损耗，并支持更高频率的PWM操作，适用于高频DC-DC变换器拓扑如同步降压或升压电路。
　　WL05GTR60具有出色的热稳定性和长期可靠性。其最大工作结温可达+150°C，并配备了高效的散热设计，确保在高负载条件下仍能安全运行。器件还通过了AEC-Q101车规级认证，表明其在温度循环、湿度、机械振动等方面均能满足汽车电子严苛的应用环境要求，可用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动或小型电机控制模块。
　　此外，该器件具备较强的抗雪崩能力和静电放电（ESD）防护能力，能够承受一定的瞬态过压冲击，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其DFN1006小型封装不仅节省空间，而且具有较低的寄生电感，有利于提升高频响应性能。综合来看，WL05GTR60是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适合对效率、尺寸和稳定性有较高要求的现代电子产品设计。

WL05GTR60广泛应用于各类中小型功率电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电池保护电路与负载开关，利用其低RDS(on)和小封装优势实现高效能与高集成度。在DC-DC转换器中，该器件常用于同步整流拓扑，作为低端或高端开关使用，特别是在12V或5V输入转3.3V/1.8V等低压输出的 buck 转换器中表现优异。
　　此外，WL05GTR60也适用于工业控制领域的低功率电机驱动电路，如微型风扇、步进电机或电磁阀的驱动开关，凭借其快速开关特性和良好热性能保障长时间稳定运行。在LED照明驱动方案中，它可用于恒流源的通断控制，实现精准调光功能。
　　由于通过AEC-Q101认证，WL05GTR60还可用于汽车电子系统，例如车身控制模块（BCM）、车窗升降器驱动、座椅调节电机控制以及车载传感器供电开关等。其宽温度范围和高可靠性确保在极端气候条件下依然稳定工作。
　　在物联网（IoT）设备和无线传感节点中，该MOSFET常被用作电源路径管理开关，以实现低功耗待机模式与工作模式之间的快速切换，最大限度地降低静态电流消耗。总之，WL05GTR60凭借其优异的电气特性与紧凑封装，已成为多种高效、小型化电源设计的理想选择。

Si2305DS
　　AO3400
　　DMG2305U