类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：60V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：6V
　　集电极最大持续电流（IC）：100mA
　　峰值集电极电流（ICM）：200mA
　　功耗（Ptot）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：110 ~ 450（测试条件：IC = 10mA, VCE = 5V）
　　过渡频率（fT）：200MHz
　　饱和电压（VCE(sat)）：≤0.25V（IC = 10mA, IB = 0.5mA）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-59）

WL03JT51N作为一款通用NPN小信号晶体管，具备出色的直流和交流性能，能够在宽泛的工作条件下保持稳定的增益表现。其直流电流增益（hFE）范围为110至450，这一宽广的增益区间使其适用于多种模拟放大电路，如音频前置放大器、传感器信号调理电路等，能够有效提升微弱信号的幅度而不引入过多失真。同时，该晶体管的过渡频率高达200MHz，表明其在高频应用中也具备良好的响应能力，可用于射频信号处理、高速开关电路或数字逻辑驱动等场景。在开关应用中，WL03JT51N表现出较低的饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.25V），这有助于减少导通状态下的功耗，提高系统能效，特别适合电池供电设备中的节能设计。
　　该器件采用SOT-23小型化封装，体积小巧，仅占约2.8mm × 1.9mm的PCB空间，非常适合高密度集成的便携式电子产品布局。其热阻特性良好，配合适当的PCB布线可有效散热，确保长期可靠运行。WL03JT51N的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应极端环境下的应用需求，包括工业控制、汽车电子外围电路等。此外，该晶体管通过了严格的可靠性测试，具备良好的抗静电能力和耐久性，能够在复杂电磁环境中稳定工作。制造过程中遵循无铅和环保工艺，符合RoHS和REACH指令要求，满足全球市场的合规性需求。总体而言，WL03JT51N以其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代电子设计中理想的通用型晶体管解决方案。

WL03JT51N广泛应用于各类低功率电子系统中，典型用途包括小信号放大电路，例如在音频输入级、传感器信号放大和运算放大器前端缓冲电路中作为增益元件使用。其高增益特性和低噪声表现使其能够精确放大微弱电信号，适用于压力传感器、温度传感器、光电探测器等精密测量系统。在数字电路中，该晶体管常被用作开关元件，实现逻辑电平转换、LED驱动、继电器控制或MOSFET栅极驱动等功能。由于其快速的开关响应和低饱和压降，特别适合用于DC-DC转换器中的同步整流控制或电源路径管理模块。此外，在无线通信设备中，WL03JT51N可用于RF信号的调制与解调电路，或作为低噪声放大器的一部分，提升接收灵敏度。在消费类电子产品如智能手机、蓝牙耳机、智能手表和物联网终端设备中，该晶体管承担着电源管理、按键检测、显示屏背光控制等多种功能。其小型封装也使其成为自动测试设备（ATE）、医疗监测仪器和便携式测量工具的理想选择。在工业自动化领域，WL03JT51N可用于PLC输入输出模块的信号隔离与驱动，以及电机控制电路中的低边开关应用。总之，凭借其优异的电气性能和紧凑的物理尺寸，WL03JT51N在多个技术领域均展现出强大的适用性和稳定性。

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　　 "MMBT3904",
　　 "MMBT4126",
　　 "BC817-40",
　　 "2N3904",
　　 "FMMT216"
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