类型：增强型氮化镓场效应晶体管
　　漏源电压(VDS)：36V
　　栅源电压(VGS)：-8V ~ +7V
　　连续漏极电流(ID)：15A
　　脉冲漏极电流(IDM)：45A
　　导通电阻(RDS(on))：3.3mΩ
　　输入电容(Ciss)：1200pF
　　输出电容(Coss)：380pF
　　反向恢复电荷(Qrr)：0C
　　工作结温范围(Tj)：-40°C ~ +150°C
　　封装形式：LGA 8引脚
　　阈值电压(Vth)：1.5V（典型值）
　　最大功耗(PD)：40W
　　开关速度：纳秒级
　　栅极电荷(Qg)：10nC（典型值）

WL03GT36N的核心特性之一是其基于硅基氮化镓材料的增强型HEMT结构，这种设计在保持低成本衬底的同时实现了优异的高频与高效率性能。氮化镓材料具有宽禁带特性，允许更高的临界电场强度，从而实现更低的导通电阻和更高的击穿电压能力。该器件的RDS(on)仅为3.3mΩ，能够在低电压大电流应用中显著降低导通损耗，提升系统效率。其极低的输出电容（Coss = 380pF）和输入电容（Ciss = 1200pF）使其在MHz级别的开关频率下仍能保持高效运行，大幅减少开关过程中的能量损耗。此外，由于氮化镓器件本身无体二极管且Qrr为零，彻底消除了传统硅MOSFET中存在的反向恢复问题，避免了由此引起的电磁干扰（EMI）和额外功耗，提升了系统的电磁兼容性和可靠性。
　　另一个关键优势在于其增强型（E-mode）操作模式。与耗尽型氮化镓器件不同，WL03GT36N在栅极为零时处于关断状态，这使得它可以直接与标准CMOS逻辑或常见的隔离式栅极驱动器接口，无需复杂的负压偏置电路来确保安全关断，极大简化了电源拓扑的设计复杂度和成本。这一特性特别适合用于图腾柱PFC、半桥、全桥及同步整流等拓扑结构中。器件还具备良好的热稳定性，得益于低热阻封装设计，热量可以快速从芯片传导至PCB或散热器，支持长时间高负载运行。此外，WL03GT36N具有较高的dv/dt和di/dt耐受能力，配合恰当的PCB布局和驱动设计，可有效抑制开关振铃和误触发风险。总体而言，WL03GT36N代表了现代高效电源系统向宽禁带半导体转型的重要方向，兼顾性能、可靠性和易用性，满足未来高功率密度电源的发展需求。

WL03GT36N广泛应用于对效率和功率密度要求极高的现代电力电子系统中。其典型应用场景包括数据中心和5G基站中的高效率AC-DC和DC-DC电源模块，尤其是在图腾柱无桥PFC（Totem-Pole PFC）电路中表现突出，能够实现超过99%的转换效率。在这些应用中，WL03GT36N凭借其零反向恢复电荷和高速开关能力，显著降低了开关损耗和EMI噪声，提高了系统整体能效。此外，该器件也适用于太阳能微型逆变器和储能系统的DC-AC逆变环节，帮助实现更紧凑、更高效的能源转换方案。在电动汽车领域，车载充电机（OBC）和直流快充桩中的高频LLC谐振转换器常采用此类氮化镓器件以提升功率密度并减少冷却需求。工业自动化设备中的高密度开关电源、高端服务器VRM（电压调节模块）以及高端音频放大器的开关电源部分也是其重要应用方向。由于其支持高频工作，配合平面变压器和集成磁件，有助于缩小滤波器和电感体积，进一步推动小型化设计。同时，WL03GT36N还可用于高端消费类电子产品如笔记本电脑适配器、游戏主机电源等追求极致轻薄与高效的产品中。随着氮化镓技术的成熟和成本下降，该器件正逐步替代传统硅MOSFET，成为下一代高效电源架构的核心组件。

EPC2045,GAN5614