型号：WL02KT15N
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23/SOT-23-3L
　　漏源电压VDS：20V
　　栅源电压VGS：±12V
　　连续漏极电流ID：1.9A @ 25°C
　　脉冲漏极电流IDM：6A
　　导通电阻RDS(on)：15mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻RDS(on)：20mΩ @ VGS=2.5V
　　栅极阈值电压VGS(th)：0.4V ~ 1.0V
　　输入电容Ciss：380pF @ VDS=10V
　　输出电容Coss：100pF @ VDS=10V
　　反向传输电容Crss：40pF @ VDS=10V
　　二极管正向电压VSD：1.0V
　　功耗PD：1W
　　工作结温Tj：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C ~ +150°C

WL02KT15N采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻RDS(on)，典型值仅为15mΩ（在VGS=4.5V条件下），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。该特性使其特别适用于电池供电设备中的负载开关或电源管理模块，在这些应用中能量利用率至关重要。其低RDS(on)还意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于提升系统热稳定性并减少散热设计复杂度。
　　该器件具有较宽的栅极阈值电压范围（0.4V~1.0V），属于超低阈值类型，能够实现非常灵敏的栅极控制，支持低电压逻辑信号直接驱动，例如来自MCU的3.3V或1.8V GPIO输出即可有效开启器件，无需外加电平转换或驱动电路，极大简化了外围电路设计。同时，其输入电容较小（Ciss约380pF），使得开关速度较快，开关损耗低，适合高频开关应用如同步整流、DC-DC降压变换器等。
　　WL02KT15N具备良好的安全工作区（SOA）和雪崩耐受能力，能够在瞬态过载或感性负载切换过程中保持稳定。集成体二极管具有较低的正向压降（约1.0V），可在反向电流路径中提供高效续流通道。此外，SOT-23封装虽然体积小巧，但经过优化设计，具备一定的散热能力，配合合理布局的PCB铜箔可满足大多数中低功率应用需求。器件符合JEDEC标准的可靠性测试规范，具备出色的抗湿性和长期稳定性，适用于自动化贴片生产流程。

WL02KT15N广泛应用于对空间和效率要求较高的低压、中低电流功率开关场合。常见于便携式电子设备中的电源路径管理，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品的电池充放电控制与负载开关电路。在此类应用中，它用于隔离不同电源域或切断待机模块的供电以降低静态功耗，延长续航时间。
　　在DC-DC转换器特别是同步整流降压电路中，WL02KT15N可用作下管（low-side switch），因其低RDS(on)和快速开关特性可有效减少传导损耗和开关损耗，提升转换效率。此外，它也适用于LED驱动电路中的恒流开关控制，以及各类电机驱动、继电器驱动等小功率负载控制场景。
　　工业和消费类电子产品中的热插拔保护电路、USB端口电源开关、传感器电源使能控制等也是其典型应用方向。由于支持逻辑电平驱动，该器件非常适合与微控制器、FPGA或ASIC协同工作，实现精确的数字控制电源管理功能。其小型化封装特性也使其成为可穿戴设备、物联网终端等高度集成产品中的理想选择。

SI2302,DMG2302U,MCH2214,FS8205A,FDC630P