时间:2025/12/26 1:55:02
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WL02DTS3N9是一款由Weltrend(联阳半导体)生产的电源管理芯片,广泛应用于小功率离线式开关电源中。该芯片集成了高压启动电路、电流模式PWM控制器以及多种保护功能,适用于充电器、适配器、家电辅助电源等场景。WL02DTS3N9采用DIP-8或SOP-8封装形式,具备引脚紧凑、外围元件少、高集成度的特点,能够有效降低系统成本并提升整体可靠性。该芯片工作在固定开关频率下,通过脉宽调制(PWM)方式调节输出电压,结合内置的高压启动模块,可在上电时快速启动而无需额外的启动电阻网络。此外,其内部集成了自供电电路,使得芯片在正常运行后可从输出端取电,进一步优化效率和功耗表现。
该器件支持宽范围的交流输入电压,适用于全球通用的85VAC至265VAC输入环境,具有良好的线路调整率和负载调整能力。为了确保系统安全,WL02DTS3N9内置了多重保护机制,包括过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、过温保护(OTP)以及前沿消隐(Leading Edge Blanking, LEB)以防止电流检测信号误触发。这些特性使其在消费类电子产品中表现出优异的稳定性和安全性。
型号:WL02DTS3N9
制造商:Weltrend (联阳半导体)
封装类型:DIP-8 / SOP-8
工作电压范围:典型8V至20V
启动电流:<10μA
工作电流:<4mA
开关频率:约65kHz
占空比范围:0% - 60%
输出驱动能力:图腾柱输出,最大驱动电流±500mA
保护功能:过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、过温保护(OTP)、前沿消隐(LEB)
集成高压启动:是
拓扑结构支持:反激式(Flyback)
温度范围:-40°C 至 +150°C(结温)
WL02DTS3N9具备高度集成的电源控制架构,内部集成了高压启动电路,能够在上电瞬间直接从整流后的高压母线获取能量完成启动过程,从而省去了传统设计中的启动电阻和相关的功耗损耗。这一特性显著提高了系统的启动效率,并减少了外部元件数量,简化了PCB布局。芯片采用电流模式PWM控制方案,提供快速的瞬态响应能力和稳定的环路控制性能,有助于实现精确的输出电压调节。其固定的65kHz开关频率设计有利于滤波器的设计与EMI的控制,在满足电磁兼容性要求的同时降低了系统开发难度。
该芯片内置完善的保护机制,增强了系统的鲁棒性。过载保护(OLP)可通过检测反馈引脚的电压或工作周期来判断输出是否超载,并在异常持续一定时间后进入打嗝模式(Hiccup Mode),有效防止持续过热损坏。过压保护(OVP)监控反馈信号和内部基准,一旦检测到输出电压异常升高即刻关闭驱动输出,保障后级电路安全。过温保护(OTP)则通过片内温度传感器实时监测芯片结温,当温度超过设定阈值时自动切断输出,待温度下降后恢复运行,形成闭环热管理。
此外,WL02DTS3N9采用了前沿消隐技术,有效屏蔽了功率MOSFET开通瞬间产生的尖峰干扰,避免电流采样信号误判导致的误关断问题,提升了系统在高频开关环境下的稳定性。芯片还具备低工作电流和待机功耗控制能力,符合现代能效标准如Energy Star和EuP Level VI的要求。综合来看,该芯片以其高集成度、高可靠性和低成本优势,成为小功率开关电源设计的理想选择之一。
WL02DTS3N9主要应用于各类低功率离线式AC-DC转换场合,常见于手机充电器、小型电源适配器、智能家居设备电源模块、白色家电辅助电源(如电视、空调、洗衣机的待机电源)、LED照明驱动电源以及工业控制板上的隔离电源设计。由于其内置高压启动和丰富的保护功能,特别适合对成本敏感且要求高可靠性的消费类电子产品。在反激式拓扑结构中,该芯片可配合光耦和稳压基准(如TL431)构成闭环反馈系统,实现精准的输出电压调节。同时,也适用于无Y电容或需要满足严苛安规要求的设计方案,支持QR(准谐振)或固定频率CCM/DCM模式运行,适应多种变压器设计需求。其宽温工作范围和强抗干扰能力使其在复杂电磁环境下仍能稳定运行,广泛服务于家电、物联网终端、智能插座、路由器电源等领域。
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