型号：WGI217LM QQ4R
　　类型：N沟道增强型碳化硅MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1200 V
　　最大栅源电压（VGS）：+25 V / -10 V
　　连续漏极电流（ID at 25°C）：26 A
　　峰值漏极电流（IDM）：104 A
　　导通电阻 RDS(on) @ 25°C：77 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) @ 175°C：130 mΩ
　　栅极电荷（Qg）：140 nC
　　输入电容（Ciss）：5000 pF
　　输出电容（Coss）：390 pF
　　反向恢复电荷 Qrr：0 C
　　阈值电压 VGS(th)：3.5 V
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：Surface Mount Quad-Flat No-Lead (QQ4R)
　　安装方式：表面贴装
　　热阻 RθJC：0.45 °C/W
　　符合标准：AEC-Q101, RoHS compliant

WGI217LM QQ4R 采用 Wolfspeed 第四代碳化硅（SiC）MOSFET 技术，其核心优势在于将高击穿电压与低导通损耗完美结合，显著提升了功率系统的整体能效。该器件的导通电阻在25°C时仅为77mΩ，即便在高温175°C下也仅上升至130mΩ，表现出极佳的温度稳定性，这对于长时间高负载运行的应用至关重要。由于碳化硅材料本身的宽禁带特性，其临界电场强度远高于传统硅基器件，使得WGI217LM QQ4R能够在1200V高压下稳定工作，同时保持较小的芯片尺寸和更低的寄生参数。
　　该MOSFET具备极快的开关速度，得益于低栅极电荷（Qg = 140nC）和优化的器件结构，能够大幅减少开关过程中的能量损耗，从而支持更高频率的PWM控制，减小无源元件（如电感和电容）的体积与重量，有利于系统小型化与轻量化设计。此外，其四引脚封装（QQ4R）将源极分为功率源和信号源，有效降低共源电感对开关瞬态的影响，避免因dI/dt过高引起的栅极振荡或误触发，进一步提高系统可靠性和电磁兼容性（EMC）性能。
　　WGI217LM QQ4R 内部集成一个性能优良的体二极管，虽然不像独立SiC肖特基二极管那样完全无反向恢复电荷，但相较于传统IGBT中的PN体二极管，其反向恢复电荷（Qrr）几乎为零，极大减少了换流过程中的能量损耗和热应力。这一特性在硬开关拓扑如图腾柱PFC或三相逆变器中尤为重要，可显著提升系统效率并降低散热需求。此外，该器件支持高达+25V的正向栅压和-10V的负向关断电压，增强了抗噪声干扰能力和防止误导通的能力，尤其适用于高dv/dt环境下的复杂驱动条件。

WGI217LM QQ4R 广泛应用于各类高要求的电力电子系统中，尤其是在需要高效、高频和高可靠性的场合。在新能源汽车领域，它被用于主驱逆变器中作为功率开关元件，将电池的直流电高效转换为交流电以驱动电机，其低损耗和高耐温特性有助于延长续航里程并简化冷却系统设计。同时，该器件也适用于车载OBC（车载充电机）中的双向AC/DC转换电路，支持快速充电与V2G（车辆到电网）功能。
　　在工业自动化方面，WGI217LM QQ4R 可用于高性能伺服驱动器、变频器和UPS电源系统中，实现精确的电机控制和不间断供电保障。其高开关频率允许使用更小的滤波元件，从而缩小设备体积并提升动态响应能力。在可再生能源系统中，如光伏逆变器和储能变流器（PCS），该器件能够在宽输入电压范围内保持高转换效率，特别是在MPPT跟踪和并网逆变阶段发挥关键作用。
　　此外，该器件还适用于铁路牵引系统、充电桩基础设施、航空电子电源模块以及高密度数据中心电源系统等高端应用场景。由于其通过了AEC-Q101车规认证，具备出色的抗湿热、抗振动和长期老化稳定性，因此特别适合部署于户外或移动环境中。结合适当的栅极驱动电路和热管理方案，WGI217LM QQ4R 能够在极端工况下持续提供稳定可靠的性能，是现代高功率密度电源系统的理想选择之一。

CMF217M120D