型号：WGI210ISSLJXX
　　制造商：WeEn Semiconductors
　　器件类型：IGBT
　　集电极-发射极击穿电压（Vces）：1200 V
　　集电极电流（Ic）@ 25°C：210 A
　　集电极电流（Ic）@ 100°C：130 A
　　集电极峰值电流（Icm）：390 A
　　栅极-发射极电压（Vge）：±20 V
　　集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）@ Ic=210A, Vge=15V：1.75 V（典型值）
　　开关时间-开启（ton）：约 80 ns
　　开关时间-关断（toff）：约 220 ns
　　工作结温（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度（Tstg）：-40°C 至 +150°C
　　热阻结到壳（Rth(j-c)）：约 0.15 °C/W
　　封装类型：ISOPLUS247

WGI210ISSLJXX采用先进的沟槽栅场截止（Trench Gate Field-Stop）IGBT技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体系统效率。其核心优势之一是具备较低的集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)），典型值仅为1.75V，这在大电流工作条件下能够有效减少功率损耗，降低温升，延长器件寿命。同时，该器件的开关速度经过优化，开启时间（ton）约为80ns，关断时间（toff）约为220ns，能够在高频PWM控制下实现快速响应，适用于高达几十kHz的开关频率应用，如光伏逆变器和电机驱动器。由于采用了场截止层结构，电场分布更加均匀，提升了器件的耐压能力和抗雪崩能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。
　　该IGBT具备出色的热稳定性和长期可靠性，工作结温范围从-40°C到+150°C，适应各种恶劣环境条件。其ISOPLUS247封装不仅体积小巧，还具备优良的散热性能，热阻结到壳（Rth(j-c)）低至约0.15°C/W，有助于将热量高效传导至散热器，避免局部过热。此外，该封装支持机械自动化装配，提高了生产效率和一致性。器件内部集成有快速恢复反并联二极管，具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和软恢复特性，可有效抑制关断时的电压振荡和电磁干扰，提升系统EMI性能。
　　WGI210ISSLJXX的设计充分考虑了实际应用中的安全裕量，具备较高的短路承受能力（通常可达6μs以上），可在控制器保护机制响应时间内维持稳定。其栅极阈值电压（Vge(th)）适中，兼容标准驱动电路，便于与光耦隔离驱动器或专用IGBT驱动IC配合使用。器件符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，适用于环保型电子产品制造。此外，其高重复性和批次一致性保证了大规模量产中的可靠性与可维护性，是工业级高功率应用的理想选择之一。

工业电机驱动
　　太阳能光伏逆变器
　　不间断电源（UPS）
　　感应加热设备
　　开关模式电源（SMPS）
　　电焊机电源
　　电动汽车充电模块
　　高压直流电源转换系统

SKM200GB12T4