时间:2025/10/29 20:16:52
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WGI210CS是一款由WeEn Semiconductors(瑞能半导体)生产的N沟道绝缘栅双极型晶体管(IGBT),专为高效率、高频率开关应用设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降优点,适用于中等功率的逆变器、电机驱动、感应加热和不间断电源(UPS)等电力电子系统。WGI210CS采用先进的平面栅场截止(Planar Gate Field-Stop)技术制造,具有较低的饱和压降Vce(sat)和优化的开关损耗,有助于提升系统整体能效并降低热管理成本。其封装形式为TO-247,具备良好的散热性能和机械稳定性,适合在工业级温度范围内可靠运行。该IGBT通常与快速恢复二极管或反并联二极管配合使用,以处理感性负载下的续流需求。此外,WGI210CS内部未集成反并联二极管,因此在实际应用中需外接快恢复二极管以确保电路正常工作。
类型:N沟道IGBT
集电极-发射极击穿电压(BVCES):1200 V
集电极电流连续(IC):25 A
集电极脉冲电流(ICP):50 A
栅极-发射极电压(VGES):±20 V
工作结温范围(Tj):-40°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg):-40°C 至 +150°C
最大耗散功率(PD):150 W
饱和压降(Vce(sat) @ IC=25A, VGE=15V):1.75 V
输入电容(Cies):3600 pF
输出电容(Coes):85 pF
反向传输电容(Crss):30 pF
开启延迟时间(td(on)):50 ns
上升时间(tr):70 ns
关断延迟时间(td(off)):900 ns
下降时间(tf):120 ns
WGI210CS采用先进的平面栅场截止(Field-Stop)IGBT工艺,显著降低了导通损耗和开关损耗之间的折衷矛盾,使其在高频开关条件下仍能保持优异的能效表现。
该器件具备1200V的高电压阻断能力,能够稳定应用于各类三相逆变器和高压直流母线系统中,在电网波动或瞬态过压情况下提供可靠的保护裕量。
其典型的饱和压降仅为1.75V(在IC=25A、VGE=15V条件下),有效减少导通期间的能量损耗,降低温升,从而延长器件寿命并简化散热设计。
WGI210CS的开关速度经过优化,具备较快的关断响应能力,但同时通过调整内部结构抑制了关断过程中的电压尖峰和振荡现象,提升了系统的电磁兼容性(EMC)性能。
由于采用TO-247封装,该器件具有优良的热传导路径,可直接安装于散热器上,适用于自然冷却或强制风冷环境。
其宽泛的工作结温范围(-40°C至+150°C)确保在严苛工业环境下仍能稳定运行,适用于户外设备、工业电机驱动及新能源发电系统。
此外,WGI210CS对栅极驱动信号的要求较为标准,推荐使用±15V的驱动电压,并建议加入负压关断(如-5V至-10V)以增强抗噪声干扰能力和防止误导通。
WGI210CS广泛应用于多种中高功率电力电子变换系统中。典型应用场景包括工业电机驱动器,其中多个IGBT组成三相逆变桥,将直流电转换为频率和幅值可调的交流电以控制异步电机或永磁同步电机的转速与扭矩。在感应加热设备中,该器件用于构建谐振逆变电路,实现高频大电流输出以加热金属材料,常见于电磁炉、金属熔炼和热处理设备。此外,WGI210CS也适用于不间断电源(UPS)系统,在市电异常时快速切换至电池供电模式,并通过逆变电路生成稳定的正弦交流输出。在太阳能光伏逆变器中,该IGBT可用于DC-AC转换级,尤其是在集中式或组串式拓扑结构中承担主功率开关功能。其他应用还包括焊接电源、电动车辆充电模块以及各类开关电源(SMPS)中的高压功率级。由于其高耐压、大电流和良好热性能,WGI210CS特别适合需要长期连续运行且对可靠性要求较高的工业级设备。