型号：WGI210AS
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：105A
　　脉冲漏极电流(Id_pulse)：420A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值4.3mΩ @ Vgs=10V, 最大值5.3mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷(Qg)：典型值85nC @ Vds=80V, Id=52A
　　输入电容(Ciss)：典型值4300pF @ Vds=50V
　　反向恢复时间(trr)：典型值32ns
　　阈值电压(Vth)：典型值3.0V，范围2.0~4.0V
　　最大功耗(Pd)：324W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TOLL (TO-263-7L)

WGI210AS的核心特性之一是其低导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下，最大值仅为5.3mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率，尤其在大电流应用场景下效果更为明显。该低Rds(on)得益于先进的沟槽栅极结构与优化的硅片工艺，能够在不牺牲可靠性的情况下实现更高的电流密度。此外，器件的栅极电荷Qg控制在85nC左右，较低的栅极驱动需求减少了驱动电路的功耗，并有助于提高开关频率，适用于高频DC-DC变换器和同步整流等场合。
　　另一个关键特性是其优异的热性能。TOLL封装不仅提供了良好的电气连接，还通过底部暴露的散热焊盘有效传导热量至PCB，提升散热效率。该封装支持7个引脚配置，可实现多点源极连接，降低寄生电感，改善开关瞬态响应，减少电压尖峰和电磁干扰。这种设计特别有利于并联使用或高动态负载场景下的稳定性。
　　WGI210AS还具备较强的雪崩耐量和抗短路能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定运行，提高了电源系统的可靠性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其适用于严苛环境下的工业、通信和汽车级应用。此外，器件内部未集成体二极管，因此在需要反向续流的应用中需外接肖特基二极管或利用同步拓扑进行管理。总体而言，WGI210AS在性能、可靠性和封装技术方面达到了较高水平，是现代高效能功率转换系统的优选器件之一。

WGI210AS主要应用于各类高效率、高功率密度的电力电子设备中。在服务器电源和通信电源领域，它常用于同步整流拓扑结构中的主开关器件，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升电源转换效率，满足80 PLUS钛金等高能效标准的要求。在DC-DC转换器中，尤其是在非隔离式降压（Buck）和升压（Boost）电路中，WGI210AS作为主控开关或同步整流开关，能够处理高达105A的连续电流，适用于大电流输出的POL（Point-of-Load）电源模块。
　　此外，该器件也广泛用于电机驱动系统，如无人机电调、电动工具和轻型电动车的控制器中，其快速响应能力和高电流承载能力确保了电机启动和调速过程中的稳定运行。在太阳能逆变器和储能系统中，WGI210AS可用于直流侧开关或MPPT（最大功率点跟踪）电路中，帮助实现高效的能量转换。
　　由于其封装兼容表面贴装工艺，WGI210AS特别适合自动化生产，适用于大规模制造场景。同时，其高结温能力和环境适应性也使其在工业自动化、UPS不间断电源以及汽车辅助电源系统中得到应用。总之，凡是需要高电流、低损耗、高可靠性的开关应用，WGI210AS都是一个极具竞争力的选择。

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　　 "WGI210NS",
　　 "IPB015N10N3",
　　 "INFINEON BSC105N10NS3"
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